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SI1926DL-T1-BE3
Dual MOSFET, N Channel, 60 V, 370 mA, 1.4 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1926DL-T1-BE3Copie
Code Commande
Mise en bobine36AJ8060RL
Bandes découpées36AJ8060
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Modèle arrêté
Options de conditionnement
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1926DL-T1-BE3Copie
Code Commande
Mise en bobine36AJ8060RL
Bandes découpées36AJ8060
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Continuous Drain Current Id370mA
Continuous Drain Current Id N Channel370mA
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel1.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel510mW
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (23-Jan-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Continuous Drain Current Id
370mA
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
-
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (23-Jan-2024)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
370mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.4ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (23-Jan-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits