Imprimer la page
SI1926DL-T1-E3
MOSFET, DUAL N-CH, 60V, 0.34A, SOT-363
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1926DL-T1-E3
Code Commande01AC4977
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
4 En Stock
Vous en voulez davantage ?
expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,832 $ |
| 10+ | 0,577 $ |
| 25+ | 0,527 $ |
| 50+ | 0,479 $ |
| 100+ | 0,429 $ |
| 250+ | 0,397 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,83 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1926DL-T1-E3
Code Commande01AC4977
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id370mA
Drain Source Voltage Vds N Channel60V
Drain Source Voltage Vds60V
Drain Source Voltage Vds P Channel60V
Continuous Drain Current Id N Channel370mA
Continuous Drain Current Id P Channel370mA
Drain Source On State Resistance N Channel1.4ohm
Drain Source On State Resistance P Channel1.4ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel510mW
Power Dissipation P Channel510mW
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Produits de remplacement pour SI1926DL-T1-E3
1 produit trouvé
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
60V
Drain Source Voltage Vds P Channel
60V
Continuous Drain Current Id P Channel
370mA
Drain Source On State Resistance P Channel
1.4ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
510mW
Product Range
TrenchFET Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
370mA
Drain Source Voltage Vds
60V
Continuous Drain Current Id N Channel
370mA
Drain Source On State Resistance N Channel
1.4ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
510mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit