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SI1967DH-T1-GE3
MOSFET, DUAL P CH, -20V, -1.3A, SOT-363
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1967DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande97W2626
Votre numéro de pièce
19 759 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 0,789 $ |
| 25+ | 0,533 $ |
| 50+ | 0,451 $ |
| 100+ | 0,370 $ |
| 250+ | 0,328 $ |
| 500+ | 0,285 $ |
| 1000+ | 0,252 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 5
Multiple: 5
3,95 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1967DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant26 semaines
Code Commande97W2626
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.64ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.64ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.64ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.64ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit