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SI1967DH-T1-GE3
Dual MOSFET, P Channel, 20 V, 20 V, 1.3 A, 1.3 A, 0.64 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1967DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3863
Mise en bobine69W7182
Bandes découpées69W7182
Votre numéro de pièce
3 000 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,830 $ | 0,83 $ |
| Total Prix | 0,83 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,830 $ |
| 25+ | 0,583 $ |
| 50+ | 0,504 $ |
| 100+ | 0,424 $ |
| 250+ | 0,384 $ |
| 500+ | 0,342 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,297 $ |
| 5000+ | 0,281 $ |
| 10000+ | 0,245 $ |
| 20000+ | 0,218 $ |
| 30000+ | 0,201 $ |
| 50000+ | 0,184 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI1967DH-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Bobine complète86R3863
Mise en bobine69W7182
Bandes découpées69W7182
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Continuous Drain Current Id1.3A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id N Channel1.3A
Continuous Drain Current Id P Channel1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel0.64ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.64ohm
Transistor Case StyleSOT-363
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.25W
Power Dissipation P Channel1.25W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (19-Jan-2021)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.64ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.25W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
1.3A
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
1.3A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.64ohm
Transistor Case Style
SOT-363
Power Dissipation N Channel
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (19-Jan-2021)
Documents techniques (2)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (19-Jan-2021)
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Certificat de conformité du produit