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SI2300DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2300DS-T1-GE3
Code Commande69W7184
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Drain Source On State Resistance0.068ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Aperçu du produit
The SI2300DS-T1-GE3 is an N-channel Power MOSFET, 100% Rg tested and suitable for load switch applications.
- Halogen-free in according to IEC 61249-2-21 standard
Applications
Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2300DS-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits