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SI2300DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.6 A, 0.068 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,271 $ |
| 5000+ | 0,257 $ |
| 10000+ | 0,224 $ |
| 20000+ | 0,199 $ |
| 30000+ | 0,184 $ |
| 50000+ | 0,168 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,27 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2300DS-T1-GE3
Code Commande86R3867
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.068ohm
On Resistance Rds(on)0.055ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max600mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.068ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
On Resistance Rds(on)
0.055ohm
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
600mV
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit