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SI2301BDS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.4 A, 0.1 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,723 $ |
| 2+ | 0,680 $ |
| 4+ | 0,637 $ |
| 6+ | 0,594 $ |
| 10+ | 0,551 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,72 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301BDS-T1-E3
Code Commande35K3452
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.4A
Drain Source On State Resistance0.1ohm
On Resistance Rds(on)0.1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd900mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Power Dissipation900mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
900mW
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.4A
On Resistance Rds(on)
0.1ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
900mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI2301BDS-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit