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SI2301BDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 20 V, 2.2 A, 0.1 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1000+ | 0,255 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
765,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301BDS-T1-GE3
Code Commande84R8020
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.2A
On Resistance Rds(on)0.08ohm
Drain Source On State Resistance0.1ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd700mW
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max950mV
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.08ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source On State Resistance
0.1ohm
Power Dissipation Pd
700mW
Gate Source Threshold Voltage Max
950mV
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI2301BDS-T1-GE3
1 produit trouvé
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3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit