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SI2301CDS-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 20V, 3.1A, TO-236 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
408 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,195 $ |
| 6000+ | 0,189 $ |
| 12000+ | 0,176 $ |
| 18000+ | 0,173 $ |
| 30000+ | 0,169 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
585,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2301CDS-T1-GE3
Code Commande96AJ0103
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.1A
Drain Source On State Resistance0.112ohm
On Resistance Rds(on)0.142ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation Pd860mW
Power Dissipation860mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.112ohm
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Power Dissipation Pd
860mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.1A
On Resistance Rds(on)
0.142ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
Power Dissipation
860mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits