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SI2302CDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.9 A, 0.057 ohm, TO-236, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,779 $ |
| 25+ | 0,515 $ |
| 50+ | 0,473 $ |
| 100+ | 0,430 $ |
| 250+ | 0,384 $ |
| 500+ | 0,338 $ |
| 1000+ | 0,295 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302CDS-T1-GE3
Code Commande16P3702
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.9A
Drain Source On State Resistance0.057ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd710mW
Rds(on) Test Voltage2.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Transistor Case StyleTO-236
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
Produits de remplacement pour SI2302CDS-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The SI2302CDS-T1-GE3 is a 20V N-channel TrenchFET® power MOSFET for use in load switching for portable devices.
- ±8V Gate to source voltage
Applications
Power Management, Portable Devices
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
2.5V
Transistor Case Style
TO-236
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.9A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Power Dissipation Pd
710mW
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits