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SI2302DDS-T1-GE3.
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 2.6 A, 0.045 ohm, SOT-23, Surface Mount
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Disponible sur commande
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,194 $ |
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Multiple: 3000
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2302DDS-T1-GE3.
Code Commande28AC2122
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id2.6A
Drain Source On State Resistance0.045ohm
On Resistance Rds(on)0.045ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd710mW
Gate Source Threshold Voltage Max-
Power Dissipation710mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
-
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.6A
On Resistance Rds(on)
0.045ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
710mW
Power Dissipation
710mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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