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SI2303BDS-T1-E3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 1.49 A, 0.2 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
Modèle arrêté
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2303BDS-T1-E3Copie
Code Commande06J7566
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id1.49A
Drain Source On State Resistance0.2ohm
On Resistance Rds(on)0.15ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd700mW
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation700mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Produits de remplacement pour SI2303BDS-T1-E3
2 produit(s) trouvé(s)
Aperçu du produit
The SI2303BDS-T1-E3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET with antiparallel diode.
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.2ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
700mW
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.49A
On Resistance Rds(on)
0.15ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
700mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits associés
4 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit