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SI2304DDS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 3.6 A, 0.06 ohm, TO-236, Surface Mount
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2304DDS-T1-GE3
Code Commande23T8495
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.06ohm
On Resistance Rds(on)0.049ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.2V
Power Dissipation1.7W
Power Dissipation Pd1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Produits de remplacement pour SI2304DDS-T1-GE3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- 30V, 3.6A N-channel TrenchFET® power MOSFET in 3 pin TO-236 package
- 100 % Rg tested
- Suitable for DC/DC converter application
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.06ohm
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
On Resistance Rds(on)
0.049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.2V
Power Dissipation Pd
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit