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SI2305CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 8 V, 5.8 A, 0.035 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2305CDS-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM0101RL
Bandes découpées49AM0101
Votre numéro de pièce
11 840 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,851 $ | 0,85 $ |
| Total Prix | 0,85 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,851 $ |
| 50+ | 0,382 $ |
| 100+ | 0,336 $ |
| 250+ | 0,295 $ |
| 500+ | 0,253 $ |
| 1000+ | 0,248 $ |
| 2500+ | 0,244 $ |
| 5000+ | 0,238 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2305CDS-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Mise en bobine49AM0101RL
Bandes découpées49AM0101
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id5.8A
Drain Source On State Resistance0.035ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.8A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
8V
Drain Source On State Resistance
0.035ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2305CDS-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit