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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 8 semaine(s)
Quantité | Prix |
---|---|
3000+ | 0,274 $ |
6000+ | 0,260 $ |
12000+ | 0,241 $ |
18000+ | 0,233 $ |
30000+ | 0,223 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
822,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2308BDS-T1-GE3
Code Commande71T8044
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.3A
Drain Source On State Resistance0.156ohm
On Resistance Rds(on)0.13ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.09W
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation1.09W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The SI2308BDS-T1-GE3 is a 60VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for battery switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.156ohm
Transistor Case Style
TO-236
Power Dissipation Pd
1.09W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
2.3A
On Resistance Rds(on)
0.13ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
1.09W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI2308BDS-T1-GE3
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Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit