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SI2309CDS-T1-E3.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.2 A, 0.285 ohm, TO-236, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2309CDS-T1-E3.Copie
Code Commande23AC9592
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,354 $ |
| 9000+ | 0,349 $ |
| 15000+ | 0,328 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 062,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2309CDS-T1-E3.Copie
Code Commande23AC9592
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.2A
On Resistance Rds(on)0.285ohm
Drain Source On State Resistance0.285ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Transistor Case StyleTO-236
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TO-236
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.2A
Drain Source On State Resistance
0.285ohm
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI2309CDS-T1-E3.
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit