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SI2309CDS-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 1.6 A, 0.285 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,327 $ |
| 6000+ | 0,312 $ |
| 12000+ | 0,298 $ |
| 18000+ | 0,292 $ |
| 30000+ | 0,290 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
981,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2309CDS-T1-GE3.Copie
Code Commande28AC2125
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id1.6A
Drain Source On State Resistance0.285ohm
On Resistance Rds(on)0.285ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.7W
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
1.6A
On Resistance Rds(on)
0.285ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit