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SI2312BDS-T1-E3
MOSFET, N-CH, 20V, 3.9A, SOT-23-3
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2312BDS-T1-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine24AJ1911RL
Bandes découpées24AJ1911
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2312BDS-T1-E3Copie
Code Commande
Mise en bobine24AJ1911RL
Bandes découpées24AJ1911
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source On State Resistance0.031ohm
On Resistance Rds(on)0.025ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max850mV
Power Dissipation Pd750mW
Power Dissipation750mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI2312BDS-T1-E3
2 produit(s) trouvé(s)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.031ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation Pd
750mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.9A
On Resistance Rds(on)
0.025ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
850mV
Power Dissipation
750mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit