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SI2312CDS-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 6A, SOT-23 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
27 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,280 $ |
| 6000+ | 0,276 $ |
| 12000+ | 0,270 $ |
| 18000+ | 0,267 $ |
| 30000+ | 0,263 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
840,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2312CDS-T1-GE3
Code Commande96AJ0109
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance0.0318ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0318ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits