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SI2319CDS-T1-BE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 4.4 A, 0.077 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2319CDS-T1-BE3
Code Commande78AH6656
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 23 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,315 $ |
| 5000+ | 0,308 $ |
| 10000+ | 0,285 $ |
| 20000+ | 0,265 $ |
| 30000+ | 0,248 $ |
| 50000+ | 0,237 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,32 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2319CDS-T1-BE3
Code Commande78AH6656
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.4A
On Resistance Rds(on)0.064ohm
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation Pd2.5W
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
Aperçu du produit
Remarques
BE3 suffix indicates non China production - not subject to US import tariffs
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.064ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit