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SI2319CDS-T1-GE3
MOSFET Transistor, P Channel, -4.4 A, -40 V, 0.064 ohm, -10 V, -1.2 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
370 831 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,080 $ |
| 10+ | 0,807 $ |
| 25+ | 0,732 $ |
| 50+ | 0,658 $ |
| 100+ | 0,583 $ |
| 250+ | 0,529 $ |
| 500+ | 0,473 $ |
| 1000+ | 0,433 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,08 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2319CDS-T1-GE3
Code Commande23T8498
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id4.4A
On Resistance Rds(on)0.064ohm
Drain Source On State Resistance0.077ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.25W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation1.25W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.064ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.25W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
4.4A
Drain Source On State Resistance
0.077ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.25W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits