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SI2319DDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 3.6 A, 0.075 ohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2319DDS-T1-GE3
Code Commande78AC6536
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
37 467 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,889 $ |
| 10+ | 0,693 $ |
| 25+ | 0,643 $ |
| 50+ | 0,593 $ |
| 100+ | 0,543 $ |
| 250+ | 0,494 $ |
| 500+ | 0,444 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,44 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2319DDS-T1-GE3
Code Commande78AC6536
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id3.6A
Drain Source On State Resistance0.075ohm
On Resistance Rds(on)0.062ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
3.6A
On Resistance Rds(on)
0.062ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.7W
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2319DDS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits