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SI2333CDS-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 12 V, 7.1 A, 0.0285 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,531 $ |
| 9000+ | 0,456 $ |
| 15000+ | 0,447 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 593,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2333CDS-T1-GE3.Copie
Code Commande16AC0253
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds12V
Continuous Drain Current Id7.1A
Drain Source On State Resistance0.0285ohm
On Resistance Rds(on)0.0285ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
12V
Drain Source On State Resistance
0.0285ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7.1A
On Resistance Rds(on)
0.0285ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit