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SI2336DS-T1-BE3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 5.2 A, 42 mohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2336DS-T1-BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète78AH6658
Bandes découpées82AH6204
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 37 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,320 $ | 1,32 $ |
| Total Prix | 1,32 $ | ||
Bandes découpées
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,320 $ |
| 50+ | 0,944 $ |
| 100+ | 0,588 $ |
| 250+ | 0,498 $ |
| 500+ | 0,406 $ |
| 1000+ | 0,346 $ |
| 2500+ | 0,307 $ |
| 5000+ | 0,268 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,274 $ |
| 6000+ | 0,268 $ |
| 9000+ | 0,263 $ |
| 15000+ | 0,257 $ |
| 30000+ | 0,253 $ |
| 75000+ | 0,247 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2336DS-T1-BE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète78AH6658
Bandes découpées82AH6204
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.2A
Drain Source On State Resistance42mohm
On Resistance Rds(on)0.034ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.8W
Power Dissipation Pd1.8W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (07-Nov-2024)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
42mohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.8W
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
SVHC
No SVHC (07-Nov-2024)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
5.2A
On Resistance Rds(on)
0.034ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1.8W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2336DS-T1-BE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (07-Nov-2024)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit