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SI2337DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 80 V, 2.2 A, 0.27 ohm, TO-236, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2337DS-T1-GE3
Code Commande61AC1930
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id2.2A
Drain Source On State Resistance0.27ohm
On Resistance Rds(on)0.216ohm
Transistor Case StyleTO-236
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation Pd2.5mW
Power Dissipation2.5mW
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour SI2337DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- 80V, 2.2A P-channel MOSFET in 3 pin TO-236 package
- TrenchFET® power MOSFET
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.27ohm
Transistor Case Style
TO-236
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
2.5mW
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
On Resistance Rds(on)
0.216ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
Power Dissipation
2.5mW
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit