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SI2338DS-T1-GE3.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 6 A, 23 mohm, SOT-23, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2338DS-T1-GE3.Copie
Code Commande30AC0143
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,253 $ |
| 6000+ | 0,242 $ |
| 12000+ | 0,233 $ |
| 18000+ | 0,228 $ |
| 30000+ | 0,227 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
759,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2338DS-T1-GE3.Copie
Code Commande30AC0143
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6A
Drain Source On State Resistance23mohm
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2.5W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Transistor Case StyleSOT-23
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
23mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2338DS-T1-GE3.
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Non
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit