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SI2342DS-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 8 V, 6 A, 0.017 ohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,837 $ |
| 25+ | 0,604 $ |
| 50+ | 0,551 $ |
| 100+ | 0,498 $ |
| 250+ | 0,448 $ |
| 500+ | 0,397 $ |
| 1000+ | 0,363 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2342DS-T1-GE3
Code Commande70AC6495
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds8V
Continuous Drain Current Id6A
On Resistance Rds(on)0.014ohm
Drain Source On State Resistance0.017ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max800mV
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (17-Jan-2023)
Aperçu du produit
- TrenchFET® Power MOSFET
- 100% Rg Tested
- Built-in ESD Protection - Typical ESD Performance 3000V
Avertissements
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
8V
On Resistance Rds(on)
0.014ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
800mV
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
6A
Drain Source On State Resistance
0.017ohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (17-Jan-2023)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2342DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (17-Jan-2023)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits