Imprimer la page
SI2343CDS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.9 A, 0.045 ohm, SOT-23, Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2343CDS-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine05W6936
Bandes découpées05W6936
Votre numéro de pièce
4 263 En Stock
Vous en voulez davantage ?
Livraison standard gratuite
pour les commandes de plus de 200$
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,410 $ | 1,41 $ |
| Total Prix | 1,41 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,410 $ |
| 25+ | 0,908 $ |
| 50+ | 0,765 $ |
| 100+ | 0,622 $ |
| 250+ | 0,561 $ |
| 500+ | 0,498 $ |
| 1000+ | 0,458 $ |
Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2343CDS-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant16 semaines
Code Commande
Mise en bobine05W6936
Bandes découpées05W6936
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.9A
On Resistance Rds(on)0.037ohm
Drain Source On State Resistance0.045ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd2.5W
Transistor Case StyleSOT-23
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Power Dissipation2.5W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI2343CDS-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® P-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, notebook adaptor switch and DC-to-DC converter applications.
- 100% Rg tested
- -55 to 150°C Operating temperature range
- Halogen-free
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.037ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
2.5W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
No. of Pins
3Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
Drain Source On State Resistance
0.045ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation
2.5W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2343CDS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit