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SI2347DS-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5 A, 42 mohm, SOT-23, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,563 $ |
| 10+ | 0,340 $ |
| 25+ | 0,301 $ |
| 50+ | 0,262 $ |
| 100+ | 0,223 $ |
| 250+ | 0,203 $ |
| 500+ | 0,182 $ |
| 1000+ | 0,163 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2347DS-T1-GE3
Code Commande70AC6496
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5A
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Drain Source On State Resistance42mohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd1.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5A
Drain Source On State Resistance
42mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2347DS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits