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3 000 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,151 $ |
| 6000+ | 0,145 $ |
| 12000+ | 0,139 $ |
| 18000+ | 0,137 $ |
| 30000+ | 0,135 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
453,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI2365EDS-T1-GE3
Code Commande05AC9484
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id5.9A
Drain Source On State Resistance0.032ohm
On Resistance Rds(on)0.0265ohm
Transistor Case StyleSOT-23
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation1.7W
Power Dissipation Pd1.7W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Case Style
SOT-23
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
1.7W
No. of Pins
3Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.9A
On Resistance Rds(on)
0.0265ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI2365EDS-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits