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SI3421DV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 8 A, 0.0192 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3421DV-T1-GE3
Code Commande29X6570
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 28 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5000+ | 0,277 $ |
| 10000+ | 0,257 $ |
| 20000+ | 0,238 $ |
| 30000+ | 0,222 $ |
| 50000+ | 0,212 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 6000
Multiple: 3000
1 662,00 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3421DV-T1-GE3
Code Commande29X6570
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.0192ohm
On Resistance Rds(on)0.016ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd4.2W
Transistor Case StyleTSOP
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation4.2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0192ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
4.2W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.016ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation
4.2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3421DV-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit