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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3456DDV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète15R4943
Mise en bobine87W5912RL
Bandes découpées87W5912
Votre numéro de pièce
65 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 0,809 $ | 0,81 $ |
| Total Prix | 0,81 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,809 $ |
| 50+ | 0,501 $ |
| 100+ | 0,319 $ |
| 250+ | 0,294 $ |
| 500+ | 0,221 $ |
| 1000+ | 0,199 $ |
| 2500+ | 0,183 $ |
| 5000+ | 0,167 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,232 $ |
| 9000+ | 0,195 $ |
| 15000+ | 0,190 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3456DDV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant27 semaines
Code Commande
Bobine complète15R4943
Mise en bobine87W5912RL
Bandes découpées87W5912
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id6.3A
Drain Source On State Resistance0.04ohm
On Resistance Rds(on)0.033ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max1.2V
Transistor Case StyleTSOP
Power Dissipation1.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (10-Jun-2022)
Aperçu du produit
The SI3456DDV-T1-GE3 is a 30VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for load switch, HDD and DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.04ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.7W
Transistor Case Style
TSOP
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
6.3A
On Resistance Rds(on)
0.033ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.2V
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (10-Jun-2022)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI3456DDV-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Produits associés
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (10-Jun-2022)
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