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SI3457CDV-T1-GE3.
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 5.1 A, 0.074 ohm, TSOP, Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,437 $ |
| 5000+ | 0,429 $ |
| 10000+ | 0,404 $ |
| 20000+ | 0,381 $ |
| 30000+ | 0,362 $ |
| 50000+ | 0,351 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 311,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3457CDV-T1-GE3.Copie
Code Commande23AC9595
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id5.1A
Drain Source On State Resistance0.074ohm
On Resistance Rds(on)0.074ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTSOP
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation3W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.074ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
-
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
5.1A
On Resistance Rds(on)
0.074ohm
Power Dissipation Pd
3W
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour SI3457CDV-T1-GE3.
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit