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SI3459BDV-T1-GE3
Power MOSFET, P Channel, 60 V, 2.2 A, 0.216 ohm, TSOP, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3459BDV-T1-GE3
Code Commande84R8040
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 10 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 0,547 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 641,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3459BDV-T1-GE3
Code Commande84R8040
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id2.2A
On Resistance Rds(on)0.18ohm
Drain Source On State Resistance0.216ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd2W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleTSOP
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation2W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.18ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
2.2A
Drain Source On State Resistance
0.216ohm
Power Dissipation Pd
2W
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation
2W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit