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SI3460DDV-T1-GE3.
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 7.9 A, 23 mohm, TSOP, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,276 $ |
| 5000+ | 0,260 $ |
| 10000+ | 0,230 $ |
| 20000+ | 0,206 $ |
| 30000+ | 0,191 $ |
| 50000+ | 0,174 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
828,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3460DDV-T1-GE3.
Code Commande30AC0147
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id7.9A
On Resistance Rds(on)0.023ohm
Drain Source On State Resistance23mohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Power Dissipation Pd1.7W
Transistor Case StyleTSOP
Gate Source Threshold Voltage Max400mV
Power Dissipation1.7W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.023ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
1.7W
Gate Source Threshold Voltage Max
400mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.9A
Drain Source On State Resistance
23mohm
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation
1.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits associés
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Non
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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