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SI3464DV-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 8 A, 0.024 ohm, TSOP, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 14 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,341 $ |
| 5000+ | 0,334 $ |
| 10000+ | 0,308 $ |
| 20000+ | 0,287 $ |
| 30000+ | 0,268 $ |
| 50000+ | 0,257 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 3000
Multiple: 3000
1 023,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3464DV-T1-GE3
Code Commande86R3875
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8A
Drain Source On State Resistance0.024ohm
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd3.6W
Rds(on) Test Voltage4.5V
Transistor Case StyleTSOP
Gate Source Threshold Voltage Max450mV
Power Dissipation3.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max
450mV
No. of Pins
6Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8A
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Power Dissipation Pd
3.6W
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit