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| 10+ | 0,441 $ |
| 25+ | 0,390 $ |
| 50+ | 0,338 $ |
| 100+ | 0,287 $ |
| 250+ | 0,249 $ |
| 500+ | 0,212 $ |
| 1000+ | 0,195 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3493DDV-T1-GE3
Code Commande15AC8651
Gamme de produitTrenchFET
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id8A
On Resistance Rds(on)0.02ohm
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleTSOP
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage4.5V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation3.6W
Power Dissipation Pd3.6W
No. of Pins6Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET
Qualification-
Produits de remplacement pour SI3493DDV-T1-GE3
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- 20V, 8A P-channel TrenchFET® Gen III power MOSFET in 6 pin TSOP package
- RDS(on) rating at VGS = -1.8V
- 100 % Rg and UIS tested
- Used for battery management in mobile devices, battery switch, load switch and PA switch
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.02ohm
Transistor Case Style
TSOP
Rds(on) Test Voltage
4.5V
Power Dissipation
3.6W
No. of Pins
6Pins
Product Range
TrenchFET
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
8A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
Power Dissipation Pd
3.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit