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SI3585CDV-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 20 V, 20 V, 3.9 A, 3.9 A, 0.058 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3585CDV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète96AJ0114
Mise en bobine70AC6501RL
Bandes découpées70AC6501
Votre numéro de pièce
24 210 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,290 $ | 1,29 $ |
| Total Prix | 1,29 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,290 $ |
| 25+ | 0,832 $ |
| 50+ | 0,700 $ |
| 100+ | 0,566 $ |
| 250+ | 0,509 $ |
| 500+ | 0,452 $ |
| 1000+ | 0,416 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,306 $ |
| 6000+ | 0,292 $ |
| 12000+ | 0,281 $ |
| 18000+ | 0,276 $ |
| 30000+ | 0,273 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3585CDV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète96AJ0114
Mise en bobine70AC6501RL
Bandes découpées70AC6501
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id3.9A
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.9A
Continuous Drain Current Id P Channel3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.058ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
MSL-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
-
Continuous Drain Current Id
3.9A
Drain Source Voltage Vds
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.058ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3585CDV-T1-GE3
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit