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SI3585CDV-T1-GE3
MOSFET, N/P-CH, 20V, 3.9A, TSOP-6
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3585CDV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète96AJ0114
Mise en bobine47AC9700RL
Bandes découpées47AC9700
Votre numéro de pièce
24 000 En Stock
4 001 disponibles sur {packagingType}
24 000 disponibles sur {packagingType}
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bobine complète | 5 | 0,286 $ | 0,00 $ |
| Total Prix | 1,43 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 5+ | 1,330 $ |
| 10+ | 0,873 $ |
| 15+ | 0,806 $ |
| 25+ | 0,741 $ |
| 50+ | 0,674 $ |
| 125+ | 0,607 $ |
| 250+ | 0,595 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,286 $ |
| 9000+ | 0,274 $ |
| 15000+ | 0,261 $ |
Si vous souhaitez des quantités plus petites, vous pouvez sélectionner un autre type d’emballage
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3585CDV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Bobine complète96AJ0114
Mise en bobine47AC9700RL
Bandes découpées47AC9700
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel20V
Drain Source Voltage Vds P Channel20V
Continuous Drain Current Id N Channel3.9A
Continuous Drain Current Id P Channel3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel0.048ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.048ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel1.4W
Power Dissipation P Channel1.4W
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds P Channel
20V
Continuous Drain Current Id P Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.048ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
1.4W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
20V
Continuous Drain Current Id N Channel
3.9A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.048ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
1.4W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI3585CDV-T1-GE3
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit