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SI3590DV-T1-GE3
Dual MOSFET, Complementary N and P Channel, 30 V, 30 V, 2.5 A, 2.5 A, 0.062 ohm
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3590DV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Mise en bobine35R6220
Bandes découpées35R6220
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 15 semaine(s)
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 3000 | 0,880 $ | 2 640,00 $ |
| Total Prix | 2 640,00 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 3000+ | 0,880 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI3590DV-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant15 semaines
Code Commande
Mise en bobine35R6220
Bandes découpées35R6220
Fiche technique
Channel TypeComplementary N and P Channel
Continuous Drain Current Id2.5A
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id N Channel2.5A
Continuous Drain Current Id P Channel2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.062ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.062ohm
Transistor Case StyleTSOP
No. of Pins6Pins
Power Dissipation N Channel830mW
Power Dissipation P Channel830mW
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCTo Be Advised
Aperçu du produit
The SI3590DV-T1-GE3 is a 30V Dual N and P-channel TrenchFET® Power MOSFET. Ultra low RDS(on) for high Efficiency and optimized for high side and low side operation. The surface-mounted LITTLE FOOT® power MOSFET uses integrated circuit and small-signal packages which have been modified to provide the heat transfer capabilities required by power devices.
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
- Low conduction losses
Applications
Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
Complementary N and P Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.062ohm
No. of Pins
6Pins
Power Dissipation P Channel
830mW
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
2.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
2.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.062ohm
Transistor Case Style
TSOP
Power Dissipation N Channel
830mW
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
To Be Advised
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour SI3590DV-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
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Certificat de conformité du produit