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SI4090DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 100V, 19.7A, SOIC-8
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4090DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande19X1960
Votre numéro de pièce
4 780 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,000 $ |
| 10+ | 1,900 $ |
| 100+ | 1,290 $ |
| 500+ | 1,020 $ |
| 1000+ | 0,939 $ |
| 2500+ | 0,857 $ |
| 10000+ | 0,840 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
3,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4090DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant43 semaines
Code Commande19X1960
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id19.7A
On Resistance Rds(on)0.008ohm
Drain Source On State Resistance8000µohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd7.8W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Power Dissipation7.8W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.008ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation Pd
7.8W
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
19.7A
Drain Source On State Resistance
8000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
7.8W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit