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SI4114DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 20 A, 0.006 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4114DY-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine18X0008
Bandes découpées18X0008
Votre numéro de pièce
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 41 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 1,390 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4114DY-T1-GE3
Code Commande
Mise en bobine18X0008
Bandes découpées18X0008
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.0049ohm
Drain Source On State Resistance0.006ohm
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd5.7W
Rds(on) Test Voltage10V
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation5.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
On Resistance Rds(on)
0.0049ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source On State Resistance
0.006ohm
Power Dissipation Pd
5.7W
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
5.7W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit