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SI4153DY-T1-GE3
MOSFET, P-CH, 30V, 19.3A, SOIC ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4153DY-T1-GE3
Code Commande26AK3559
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
2 049 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,380 $ |
| 10+ | 1,050 $ |
| 25+ | 0,955 $ |
| 50+ | 0,864 $ |
| 100+ | 0,772 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
6,90 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4153DY-T1-GE3
Code Commande26AK3559
Gamme de produitTrenchFET Gen III Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id19.3A
On Resistance Rds(on)0.0072ohm
Drain Source On State Resistance0.0095ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.5V
Power Dissipation5.6W
Power Dissipation Pd5.6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Gen III Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0072ohm
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
5.6W
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Gen III Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
19.3A
Drain Source On State Resistance
0.0095ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.5V
Power Dissipation Pd
5.6W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4153DY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits