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SI4186DY-T1-GE3
MOSFET, N-CH, 20V, 35.8A, SOIC
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4186DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande11AN9280
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
2 500 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,880 $ |
| 50+ | 1,950 $ |
| 100+ | 1,400 $ |
| 250+ | 1,290 $ |
| 500+ | 1,170 $ |
| 1000+ | 1,100 $ |
| 2500+ | 1,080 $ |
| 5000+ | 1,060 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,88 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4186DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant29 semaines
Code Commande11AN9280
Gamme de produitTrenchFET Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35.8A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeTrenchFET Series
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35.8A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Produits de remplacement pour SI4186DY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
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Certificat de conformité du produit