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SI4186DY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 35.8 A, 0.0026 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 34 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 0,821 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 052,50 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4186DY-T1-GE3
Code Commande35R6234
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds20V
Continuous Drain Current Id35.8A
Drain Source On State Resistance0.0026ohm
On Resistance Rds(on)0.0026ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3W
Transistor Case StyleSOIC
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation3W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
20V
Drain Source On State Resistance
0.0026ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3W
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
35.8A
On Resistance Rds(on)
0.0026ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation
3W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit