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SI4190ADY-T1-GE3
Power MOSFET, N Channel, 100 V, 18.4 A, 0.0088 ohm, SOIC, Surface Mount
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4190ADY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Bobine complète99W9617
Mise en bobine04X9759RL
Bandes découpées04X9759
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,530 $ | 3,53 $ |
| Total Prix | 3,53 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,530 $ |
| 50+ | 2,460 $ |
| 100+ | 1,850 $ |
| 250+ | 1,740 $ |
| 500+ | 1,620 $ |
| 1000+ | 1,550 $ |
| 2500+ | 1,460 $ |
| 5000+ | 1,430 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,190 $ |
| 7500+ | 1,170 $ |
| 12500+ | 1,150 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4190ADY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant41 semaines
Code Commande
Bobine complète99W9617
Mise en bobine04X9759RL
Bandes découpées04X9759
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id18.4A
On Resistance Rds(on)0.0073ohm
Drain Source On State Resistance0.0088ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd6W
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation6W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Aperçu du produit
The SI4190ADY-T1-GE3 is a 100VDS TrenchFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET suitable for DC-to-DC primary side switch and telecom/server applications.
- 100% Rg tested
- 100% UIS tested
- Halogen-free
- -55 to 150°C Operating temperature range
Applications
Industrial, Power Management, Communications & Networking
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0073ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
6W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
18.4A
Drain Source On State Resistance
0.0088ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation
6W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4190ADY-T1-GE3
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit