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SI4202DY-T1-GE3
MOSFET, NN CH, W/D, 30V, 12.1A, SO8
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FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4202DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine64T4062RL
Bandes découpées64T4062
Votre numéro de pièce
3 029 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,070 $ | 3,07 $ |
| Total Prix | 3,07 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,070 $ |
| 50+ | 1,500 $ |
| 100+ | 1,350 $ |
| 250+ | 1,220 $ |
| 500+ | 1,090 $ |
| 1000+ | 1,060 $ |
| 2500+ | 1,040 $ |
| 5000+ | 1,020 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4202DY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant39 semaines
Code Commande
Mise en bobine64T4062RL
Bandes découpées64T4062
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id12.1A
Drain Source On State Resistance0.0115ohm
Transistor Case StyleSOIC
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1V
Power Dissipation3.7W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Product Range-
Qualification-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
12.1A
Transistor Case Style
SOIC
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
3.7W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.0115ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1V
No. of Pins
8Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4202DY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Y-Ex
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit