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SI4214DDY-T1-GE3
Dual MOSFET, N Channel, 30 V, 30 V, 8.5 A, 8.5 A, 0.016 ohm
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4214DDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète35R0077
Bobine complète38AH2371
Mise en bobine35R6236RL
Bandes découpées35R6236
Gamme de produitTrenchFET Series
Votre numéro de pièce
1 295 En Stock
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Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 1,180 $ | 1,18 $ |
| Total Prix | 1,18 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,180 $ |
| 10+ | 0,740 $ |
| 25+ | 0,655 $ |
| 50+ | 0,570 $ |
| 100+ | 0,486 $ |
| 250+ | 0,430 $ |
| 500+ | 0,376 $ |
| 1000+ | 0,340 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 0,545 $ |
| 5000+ | 0,536 $ |
| 10000+ | 0,504 $ |
| 20000+ | 0,477 $ |
| 30000+ | 0,454 $ |
| 50000+ | 0,438 $ |
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4214DDY-T1-GE3Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant37 semaines
Code Commande
Bobine complète35R0077
Bobine complète38AH2371
Mise en bobine35R6236RL
Bandes découpées35R6236
Gamme de produitTrenchFET Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel30V
Continuous Drain Current Id8.5A
Drain Source Voltage Vds30V
Drain Source Voltage Vds P Channel30V
Continuous Drain Current Id N Channel8.5A
Continuous Drain Current Id P Channel8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel0.016ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.016ohm
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel3.1W
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product RangeTrenchFET Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Aperçu du produit
The SI4214DDY-T1-GE3 is a dual N-channel MOSFET housed in a surface-mount package. It is suitable for notebook system power and low current DC-to-DC converter applications.
- Halogen-free
- TrenchFET® power MOSFET
Applications
Industrial, Power Management
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
8.5A
Drain Source Voltage Vds P Channel
30V
Continuous Drain Current Id P Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.016ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
3.1W
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
30V
Drain Source Voltage Vds
30V
Continuous Drain Current Id N Channel
8.5A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.016ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
TrenchFET Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4214DDY-T1-GE3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit