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SI4288DY-T1-GE3.
Dual MOSFET, Dual N Channel, 40 V, 9.2 A, 0.02 ohm
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2500+ | 1,100 $ |
| 7500+ | 1,070 $ |
| 12500+ | 1,050 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Full Reel)
Minimum: 2500
Multiple: 2500
2 750,00 $
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4288DY-T1-GE3.Copie
Code Commande30AC0152
Fiche technique
Channel TypeDual N Channel
Continuous Drain Current Id9.2A
Drain Source Voltage Vds N Channel40V
Drain Source Voltage Vds P Channel-
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id N Channel9.2A
Continuous Drain Current Id P Channel-
Drain Source On State Resistance N Channel0.02ohm
Drain Source On State Resistance P Channel-
Transistor Case StyleSOIC
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel3.1W
Power Dissipation P Channel-
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead (04-Feb-2026)
Spécifications techniques
Channel Type
Dual N Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel
40V
Drain Source Voltage Vds
40V
Continuous Drain Current Id P Channel
-
Drain Source On State Resistance P Channel
-
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
-
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Continuous Drain Current Id
9.2A
Drain Source Voltage Vds P Channel
-
Continuous Drain Current Id N Channel
9.2A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.02ohm
Transistor Case Style
SOIC
Power Dissipation N Channel
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead (04-Feb-2026)
Documents techniques (3)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead (04-Feb-2026)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit