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SI4386DY-T1-E3
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 16 A, 0.007 ohm, SOIC, Surface Mount
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Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 41 semaine(s)
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 500+ | 1,300 $ |
Bobine complète
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 2000+ | 1,450 $ |
| 4000+ | 1,340 $ |
| 6000+ | 1,300 $ |
| 10000+ | 1,270 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantVISHAY
Réf. FabricantSI4386DY-T1-E3
Code Commande85W2146
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id16A
Drain Source On State Resistance0.007ohm
On Resistance Rds(on)0.0058ohm
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd3.1W
Gate Source Threshold Voltage Max2V
Transistor Case StyleSOIC
Power Dissipation3.1W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max150°C
Qualification-
Product Range-
SVHCLead
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
0.007ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
3.1W
Transistor Case Style
SOIC
No. of Pins
8Pins
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
16A
On Resistance Rds(on)
0.0058ohm
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2V
Power Dissipation
3.1W
Operating Temperature Max
150°C
Product Range
-
SVHC
Lead
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour SI4386DY-T1-E3
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :Lead
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Certificat de conformité du produit